Kontakt über Aktiven Gate-Strukturen mit Gleichmässigen und Konformen Gate-Isolationsdeckschichten zur Herstellung Erweiterter Integrierter Schaltungsstrukturen

EP4243082 Art A3 3. Januar 2024

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4243082
Aktenzeichen: EP23152941
Anmeldetag: 23. Januar 2023
Veröffentlichung: 3. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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