Architektur und Verfahren für Nand-Speicherbetrieb
EP4244894
Art B1
19. November 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4244894
- Aktenzeichen
- EP20965386
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 19. November 2025
- Erteilung
- 19. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/34G11C16/26G11C16/04G11C16/08G11C16/10// G11C16/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank