Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers aus 4H-Sic-Material zur Bildung einer 3C-Sic-Schicht in Direktem Kontakt mit dem 4H-Sic-Material

EP4246553 Art B1 3. Dezember 2025

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4246553
Aktenzeichen: EP23160409
Anmeldetag: 7. März 2023
Veröffentlichung: 3. Dezember 2025
Erteilung: 3. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics S.r.l.
Land: 🇮🇹 Italien

🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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