Schätzung der Gate-Oxid-Verschlechterung für Leistungshalbleiter
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION, Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4249927
- Aktenzeichen
- EP22305350
- Anmeldetag
- 23. März 2022
- Veröffentlichung
- 6. August 2025
- Erteilung
- 6. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R31/28G01R31/26
Abstract
A measurement method of a flatband voltage of a power semi-conductor module (1) during operational service, said method comprising:a. applying a bias voltage to said module (1) such that said module (1) switches between off-state and on-state;b. triggering a gate current I<sub>g</sub> injection from a current source (44) to a gate of the module (1) when an initial gate-emitter/source voltage is equal to a flatband voltage V<sub>fb,h</sub> of the module (1);c. measuring the voltage V<sub>g</sub> across the current source (44);d. extracting of a flatband voltage V<sub>fb,h+1</sub> from the said measured voltage V<sub>g</sub> across the current source (44)e. stopping said gate current I<sub>g</sub> injection- when the absolute difference between the gate emitter/source voltage and the flatband voltage V<sub>fb,h</sub> becomes superior to a predefined limit; or- when the gate voltage I<sub>g</sub> injection duration tinj exceeds a predetermined duration t<sub>max</sub>;f. saving the extracted flatband voltage V<sub>fb,h+1</sub> value.
Anmelder
- Firmen
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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Niederländische Forschungs- und Entwicklungseinrichtung des japanischen Mitsubishi-Electric-Konzerns. Betreibt technologische Forschung für Elektronik-, Kommunikations- und Automatisierungslösungen für den europäischen Markt.
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