Massnahmen gegen die Verschlechterung der Gate-Eigenschaften von Leistungshalbleitern

EP4250567 Art A1 27. September 2023

Anmelder: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V., Mitsubishi Electric Corporation 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4250567
Aktenzeichen: EP22305351
Anmeldetag: 23. März 2022
Veröffentlichung: 27. September 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H03K17/14H03K17/687H03K17/16H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.
Mitsubishi Electric Corporation
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 Mitsubishi Electric R&D Centre Europe

Niederländische Forschungs- und Entwicklungseinrichtung des japanischen Mitsubishi-Electric-Konzerns. Betreibt technologische Forschung für Elektronik-, Kommunikations- und Automatisierungslösungen für den europäischen Markt.

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🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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