Optoelektronische Vorrichtung mit einer Iii-V-Halbleitermembran-Laserquelle, die einen Lateralen P-I-N Übergang Bildet

EP4254687 Art B1 5. Juni 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4254687
Aktenzeichen: EP23164948
Anmeldetag: 29. März 2023
Veröffentlichung: 5. Juni 2024
Erteilung: 5. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/02H01S5/042H01S5/10H01S5/14H01S5/34// H01S5/125

Offizieller Volltext

Abstract

L'invention porte sur un dispositif optoélectronique comportant : une source laser (2) comportant une membrane semiconductrice (20), reposant sur une première couche diélectrique (14), formée d'une portion latérale (21.1) dopée de type n, une portion latérale (21.2) dopée de type p, et une portion centrale (22) optiquement active située entre et au contact des portions latérales dopées (21.1, 21.2) pour former une jonction latérale p-i-n s'étendant parallèlement au plan principal. La membrane semiconductrice (20) est réalisée à base de GaAs cristallin, la portion centrale (22) comportant des boîtes quantiques à base de GaAs, et les portions latérales dopées (21.1, 21.2) étant réalisées à base de Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As avec une proportion d'aluminium x comprise entre 0.05 et 0.30.

Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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