Phasenrauschunterdrückung für Symmetrisches Bistatisches Radar

EP4258019 Art B1 24. September 2025

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4258019
Aktenzeichen
EP23162977
Anmeldetag
20. März 2023
Veröffentlichung
24. September 2025
Erteilung
24. September 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G01S13/42G01S13/931G01S13/00G01S13/34G01S13/87G01S13/36// G01S13/74
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen