Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements, Halbleiterelement und Halbleiterbauelement

EP4266350 Art A1 25. Oktober 2023

Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4266350
Aktenzeichen
EP21906422
Anmeldetag
6. Dezember 2021
Veröffentlichung
25. Oktober 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20H01L29/06H01L29/20H01L29/47H01L29/872H01L21/329H01L29/861H01L29/868
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kyocera Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

6.341 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen