Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements, Halbleiterelement und Halbleiterbauelement
EP4266350
Art A1
25. Oktober 2023
Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4266350
- Aktenzeichen
- EP21906422
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L29/06H01L29/20H01L29/47H01L29/872H01L21/329H01L29/861H01L29/868
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kyocera Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyocera
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.
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