Herstellungsverfahren für Sic-Halbleiterelement
EP4266354
Art B1
16. April 2025
Anmelder: Kyoto University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4266354
- Aktenzeichen
- EP21906152
- Anmeldetag
- 22. Oktober 2021
- Veröffentlichung
- 16. April 2025
- Erteilung
- 16. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/78H01L21/3065// H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kyoto University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
1.706 Patente in unserer Datenbank