Effizienter Wellenleiterübergang zwischen Gehäuse und Leiterplatte unter Verwendung einer Lötwand
EP4266484
Art A1
25. Oktober 2023
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4266484
- Aktenzeichen
- EP23167569
- Anmeldetag
- 12. April 2023
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01P5/02H01P11/00H05K1/02H05K3/36H01L23/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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