Halbleitergehäuse mit Verdrahtung auf Neu Verteilten Höckern
EP4270456
Art A3
7. Februar 2024
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4270456
- Aktenzeichen
- EP23167831
- Anmeldetag
- 13. April 2023
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L25/065// H01L23/31H01L21/56H01L23/49H01L21/683
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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