Halbleitergehäuse mit Strukturen, die So Konfiguriert Sind, Dass Sie einer Änderung des Volumens einer Vergussmasse Standhalten
EP4273918
Art A1
8. November 2023
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4273918
- Aktenzeichen
- EP22171788
- Anmeldetag
- 5. Mai 2022
- Veröffentlichung
- 8. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/00H01L23/053H01L23/24H01L23/31H01L23/04// H01L23/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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