Transistor mit Dielektrischen Spacern und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP4273936
Art A1
8. November 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4273936
- Aktenzeichen
- EP23168436
- Anmeldetag
- 18. April 2023
- Veröffentlichung
- 8. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/338H01L29/41// H01L29/423H01L29/417H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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