Steuerungsverstärkungsschaltung, Leseverstärker und Halbleiterspeicher
EP4276829
Art A1
15. November 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4276829
- Aktenzeichen
- EP22912974
- Anmeldetag
- 8. März 2022
- Veröffentlichung
- 15. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/06G11C7/08G11C11/4091G11C7/02G11C5/14G11C11/4094G11C11/4074
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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