Dreidimensionale Speichervorrichtungen und Verfahren zur Formung davon
EP4285413
Art A1
6. Dezember 2023
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4285413
- Aktenzeichen
- EP21931994
- Anmeldetag
- 22. März 2021
- Veröffentlichung
- 6. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/27H10B43/40H10B43/50H01L21/28H01L29/792// H10B43/35
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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