Dreidimensionaler Nand-Speicher und Herstellungsverfahren dafür

EP4285414 Art A1 6. Dezember 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4285414
Aktenzeichen
EP21932530
Anmeldetag
26. August 2021
Veröffentlichung
6. Dezember 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H10B43/10H10B43/27H10B43/50G11C16/04// H10B43/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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