Verfahren zur Herstellung eines Photonischen Chips

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4286926

Aktenzeichen

EP23176231

Anmeldetag

30. Mai 2023

Veröffentlichung

31. Dezember 2025

Erteilung

31. Dezember 2025

Rechtsraum

EP

IPC

G02F1/025H01L21/02

Abstract

Ce procédé comporte : - avant le collage d'un substrat sur une couche de matériau semi-conducteur encapsulé dans laquelle est réalisée une première partie d'un composant optique, la réalisation (91) de plots enfoncés à l'intérieur d'une couche enterrée en oxyde de silicium, chacun de ces plots comportant une face enfouie qui s'étend parallèlement à une interface entre la couche enterrée et la couche en matériau semi-conducteur encapsulé à une profondeur prédéterminée à l'intérieur de la couche enterrée, chacune des faces enfouies étant réalisée dans un matériau différent de l'oxyde de silicium, puis - l'amincissement (128) de la couche enterrée pour laisser subsister une couche résiduelle en oxyde de silicium sur la couche en matériau semi-conducteur encapsulé, cette amincissement comportant une opération d'amincissement de la couche enterrée avec arrêt de cet amincissement dès que la face enfouie des plots est mise à nue.

Anmelder

Firmen

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete