Kontaktstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP4288996
Art B1
1. Oktober 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4288996
- Aktenzeichen
- EP21955326
- Anmeldetag
- 30. August 2021
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2025
- Erteilung
- 1. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/18H10B43/27H10B43/50// H01L23/31H01L25/065H01L21/768H01L23/00H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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