Anschlussflächenstrukturen für Halbleiterbauelemente

EP4289001 Art A1 13. Dezember 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4289001
Aktenzeichen
EP21955379
Anmeldetag
31. August 2021
Veröffentlichung
13. Dezember 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/683H10B43/50H01L25/18H01L25/00H01L27/06H10B41/27H10B43/27// H01L21/822H01L25/065
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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