Dünnschichttransistor und Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors

EP4290586 Art A1 13. Dezember 2023

Anmelder: TOPPAN INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4290586
Aktenzeichen: EP22749854
Anmeldetag: 7. Februar 2022
Veröffentlichung: 13. Dezember 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L21/66H01L29/49H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOPPAN INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toppan Printing

Japanischer Konzern für Druck- und Verpackungstechnologien mit Sitz in Tokio, seit 1900 tätig. Produziert zudem Displays, Halbleitermasken und Sicherheitsdrucke.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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