Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zu deren Herstellung

EP4292409 Art A1 20. Dezember 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4292409
Aktenzeichen
EP21961971
Anmeldetag
30. Oktober 2021
Veröffentlichung
20. Dezember 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H10B43/27H10B43/10H10B43/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen