Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon

EP4297097 Art A3 3. April 2024

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4297097
Aktenzeichen: EP23207308
Anmeldetag: 26. März 2009
Veröffentlichung: 3. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/12H01L29/06H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von