Kontaktarchitektur für 2D-Stapelnanobandtransistor

EP4300588 Art A1 3. Januar 2024

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4300588
Aktenzeichen: EP23175335
Anmeldetag: 25. Mai 2023
Veröffentlichung: 3. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/08H01L29/24H01L29/417H01L29/423H01L21/34H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.631 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von