Halbleiterbauelement mit Under-Bump-Metallisierung und Verfahren dafür
EP4303912
Art B1
12. März 2025
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4303912
- Aktenzeichen
- EP23181527
- Anmeldetag
- 26. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 12. März 2025
- Erteilung
- 12. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L23/48// H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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