Halbleitergehäuse oder Leiterplatte, die Beide Modifiziert Sind, um eine oder Mehrere Magnetische Kopplungen, die durch den Laststrom eines Halbleitertransistors Verursacht Werden, zu Reduzieren, Umzukehren oder zu Nutzen
EP4303917
Art A1
10. Januar 2024
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4303917
- Aktenzeichen
- EP22183358
- Anmeldetag
- 6. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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