Planare Vergrabene Optische Wellenleiter in einem Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren
Anmelder: II-VI Delaware, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4307034
- Aktenzeichen
- EP23185854
- Anmeldetag
- 17. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 17. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G02F1/025G02F1/225
Abstract
A method of forming a semiconductor device may include providing semiconductor substrate having a substrate top side and a dielectric layer along the substrate top side and forming a first mask layer over the dielectric layer. The method may include forming a lower cladding wall and an upper cladding wall via a first opening in the first mask layer. The method may also include forming a second mask layer over the dielectric layer and forming side cladding walls via second openings in the second mask layer. Various semiconductor devices having a buried waveguide in formed via the method are also disclosed.
Anmelder
- Firma
- II-VI Delaware, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das optische Komponenten, Laser und Halbleiterbauteile für Telekommunikation, Industrie und Sensorik entwickelt, Teil von Coherent.
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Fachgebiete
Geht auf die 1992 gegründete Kanzlei Dr. Volker Vossius zurück, firmiert seit 2015 als Zwicker Schnappauf & Partner, mit Standorten in München und Berlin. Schwerpunkt auf Biotechnologie, Chemie, Medizintechnik und Pharmazie, Website in sechs Sprachen abrufbar.