Leistungs-Mosfet-Bauelement mit Verbesserter Isolierter Gate-Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung

EP4307384 Art A3 7. Februar 2024

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4307384
Aktenzeichen: EP23181494
Anmeldetag: 26. Juni 2023
Veröffentlichung: 7. Februar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/49H01L29/78// H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics S.r.l.
Land: 🇮🇹 Italien

🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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