Vertikales Orientiertes Halbleiterbauelement mit Wannenbereichen mit einem Lateralen Dotierungsgradienten und Entsprechendes Herstellungsverfahren
EP4310919
Art A1
24. Januar 2024
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4310919
- Aktenzeichen
- EP22186430
- Anmeldetag
- 22. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 24. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/08H01L29/10H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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