Dünnschichttransistor und Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors

EP4310921 Art B1 25. Juni 2025

Anmelder: TOPPAN INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4310921
Aktenzeichen: EP22771429
Anmeldetag: 15. März 2022
Veröffentlichung: 25. Juni 2025
Erteilung: 25. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D64/66H10D30/67H01L21/31H01L21/312H01L21/318H10D30/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOPPAN INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toppan Printing

Japanischer Konzern für Druck- und Verpackungstechnologien mit Sitz in Tokio, seit 1900 tätig. Produziert zudem Displays, Halbleitermasken und Sicherheitsdrucke.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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