Halbleiterlaservorrichtung mit Photonischem Kristall und Herstellungsverfahren dafür

EP4311045 Art A1 24. Januar 2024

Anmelder: Seoul National University R & DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4311045
Aktenzeichen: EP22771781
Anmeldetag: 17. März 2022
Veröffentlichung: 24. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/11H01S5/02H01S5/042

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul National University R & DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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