Zellstrukturen aus einem Igbt mit Isoliertem Gate-Bipolartransistor mit einem Steuergate und einer Trägerspeicherschicht und Herstellungsverfahren dafür
EP4312275
Art A1
31. Januar 2024
Anmelder: Nexperia Technology (Shanghai) Ltd., Nexperia B.V. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4312275
- Aktenzeichen
- EP23188522
- Anmeldetag
- 28. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 31. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L21/331// H01L29/06H01L29/40H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Nexperia Technology (Shanghai) Ltd.
Nexperia B.V. - Land
- 🇨🇳 China
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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