Verfahren zur Herstellung einer Optoelektronischen Vorrichtung mit einer auf einem SI3N4-Integrierten Wellenleiter Optisch Gekoppelten Germanium-Photodiode

EP4312279 Art A1 31. Januar 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4312279
Aktenzeichen: EP23187953
Anmeldetag: 26. Juli 2023
Veröffentlichung: 31. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/105H01L31/109H01L31/0224H01L31/18G02B6/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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