Halbleiterelement, Integrierte Halbleiterschaltung und Herstellungsverfahren für das Halbleiterelement

EP4318598 Art A1 7. Februar 2024

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Institute Of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4318598
Aktenzeichen: EP22779814
Anmeldetag: 4. März 2022
Veröffentlichung: 7. Februar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H10D30/43H10D12/00H10D12/01H10D62/40H10D62/83H10D62/17H10D30/67H10D62/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
National Institute Of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von