Transistorwärmeableitungsstruktur
EP4322225
Art A1
14. Februar 2024
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4322225
- Aktenzeichen
- EP23185527
- Anmeldetag
- 14. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 14. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/417H01L29/778// H01L21/337H01L29/06H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank