Eingebaute Temperatursensoren

EP4328961 Art B1 13. November 2024

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4328961
Aktenzeichen
EP23184338
Anmeldetag
10. Juli 2023
Veröffentlichung
13. November 2024
Erteilung
13. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/84H01L27/06H01L27/12H01L21/762G01K7/01
Offizieller Volltext

Abstract

The present disclosure relates to semiconductor structures and, more particularly, to built-in temperature sensors and methods of manufacture and operation. The structure includes: a semiconductor on insulator substrate; an insulator layer under the semiconductor on insulator substrate; a handle substrate under insulator layer; a first well of a first dopant type in the handle substrate; a second well of a second dopant type in the handle substrate, adjacent to the first well; and a back-gate diode at a juncture of the first well and the second well.

Anmelder

Firma
GlobalFoundries U.S. Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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Kanzlei
V. Füner Ebbinghaus Finck Hano München, Deutschland

Seit über 50 Jahren nahe dem Europäischen Patentamt in München tätig, deutscher Kern der EUROMARKPAT-Gruppe. Eigene Büros in Russland, der Ukraine und weiteren Ländern Osteuropas und Eurasiens ermöglichen direkte Vertretung ohne lokale Kanzleien.

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