Mosfet-Basierter Hf-Schalter mit Verbesserter Esd-Robustheit
EP4329199
Art A1
28. Februar 2024
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4329199
- Aktenzeichen
- EP23192123
- Anmeldetag
- 18. August 2023
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/693H03K17/16H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Schoppe, Zimmermann, Stöckeler
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