Spannungsgatetreiber für einen Halbleiterbasierten Transistor sowie eine Leistungsschaltervorrichtung und ein Entsprechendes Verfahren
EP4333305
Art A1
6. März 2024
Anmelder: Nexperia B.V., Nexperia Technology (Shanghai) Ltd. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4333305
- Aktenzeichen
- EP22193040
- Anmeldetag
- 31. August 2022
- Veröffentlichung
- 6. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/30H03K17/687H03K17/0812// H03K17/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Nexperia B.V.
Nexperia Technology (Shanghai) Ltd. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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