Transistor mit Plattierten Elektroden und Verfahren zu dessen Herstellung
EP4343851
Art A1
27. März 2024
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4343851
- Aktenzeichen
- EP23198051
- Anmeldetag
- 18. September 2023
- Veröffentlichung
- 27. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/45H01L29/47H01L21/285H01L29/778// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank