Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
EP4350055
Art A1
10. April 2024
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4350055
- Aktenzeichen
- EP22199997
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 10. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B15/14C30B15/30C30B29/06C30B30/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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