Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung davon
EP4350767
Art B1
25. Juni 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4350767
- Aktenzeichen
- EP22924568
- Anmeldetag
- 6. September 2022
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2025
- Erteilung
- 25. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L25/18H01L23/498// H01L23/528
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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