Speichervorrichtung

EP4351297 Art B1 4. März 2026

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4351297
Aktenzeichen
EP24160074
Anmeldetag
17. April 2020
Veröffentlichung
4. März 2026
Erteilung
4. März 2026
Rechtsraum
EP
IPC
G11C8/08G11C16/08H10B41/50H10B43/50
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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