Schnelle Herstellung von Halbleiterdünnschichten
EP4351874
Art A1
17. April 2024
Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4351874
- Aktenzeichen
- EP22812137
- Anmeldetag
- 26. Mai 2022
- Veröffentlichung
- 17. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10K30/50H10K85/50H10K71/15H10K71/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Massachusetts Institute of Technology
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
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Fachgebiete
Vertreten von
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