Leistungstransistor

EP4358125 Art A1 24. April 2024

Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4358125
Aktenzeichen: EP23201333
Anmeldetag: 3. Oktober 2023
Veröffentlichung: 24. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8252H01L27/06H01L27/085H01L29/20H01L29/778H02M1/08H03K17/082

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

321 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von