Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit Zwei Halbleiterchips und So Erhaltene Vorrichtung

EP4361091 Art B1 26. November 2025

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4361091
Aktenzeichen
EP23203161
Anmeldetag
12. Oktober 2023
Veröffentlichung
26. November 2025
Erteilung
26. November 2025
Rechtsraum
EP
IPC
B81C1/00
Offizieller Volltext

Abstract

Device formed by a first die (210) and a second die (221). The first die is of semiconductor and integrates electronic components (202). The second die has a main surface (210A), forms patterned structures (230) and is bonded to the first die. Internal electrical coupling structures (242) electrically couple the main surface (210A) of the first die (210) to the second die (221). External connection regions (241) extend on the main surface of the first die (210). A package (246) embeds the first die (210), the second die (221) and the internal electrical coupling structures (242) and partially surrounds the external connection regions (241), the external connection regions partially protruding from the package. The second die (221) has through recesses (207, 208) accommodating external connection regions

Anmelder

Firma
STMicroelectronics S.r.l.
Land
🇮🇹 Italien
🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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