Durch eine Dielektrische Schutzschicht Geschützter Halbleiterstecker in einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP4362624
Art A3
16. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4362624
- Aktenzeichen
- EP24164626
- Anmeldetag
- 27. September 2018
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/27H10B41/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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