Keimschicht zur Verbesserung des Tunnelmagnetwiderstands mit Senkrecht Magnetisierten Heuslerschichten
EP4366492
Art B1
9. Juli 2025
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., International Business Machines Corporation 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4366492
- Aktenzeichen
- EP23196222
- Anmeldetag
- 8. September 2023
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2025
- Erteilung
- 9. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N50/10H10N50/01H10N50/85
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Samsung Electronics Co., Ltd.
International Business Machines Corporation - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
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🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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