Transistorarrays mit Bipolaren Übergängen
Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4373237
- Aktenzeichen
- EP23198101
- Anmeldetag
- 19. September 2023
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2025
- Erteilung
- 14. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B63/00H10D84/60// H10B61/00H10N70/20
Abstract
Structures that include bipolar junction transistors and methods of forming such structures. The structure comprises a semiconductor layer, a substrate (32), and a dielectric layer disposed between the semiconductor layer and the substrate. The structure further comprises a first bipolar junction transistor (12) including a first collector in the substrate (34), a first emitter (40), and a first base layer (20). The first base layer extends through the dielectric layer from the first emitter to the first collector. The structure further comprises a second bipolar junction transistor (14) including a second collector (34) in the substrate, a second emitter (42), and a second base layer (22). The second base layer extends through the dielectric layer from the second emitter to the second collector. The second base layer is connected to the first base layer by a section of the semiconductor layer to define a base line.
Anmelder
- Firma
- GlobalFoundries U.S. Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
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Fachgebiete
Seit über 50 Jahren nahe dem Europäischen Patentamt in München tätig, deutscher Kern der EUROMARKPAT-Gruppe. Eigene Büros in Russland, der Ukraine und weiteren Ländern Osteuropas und Eurasiens ermöglichen direkte Vertretung ohne lokale Kanzleien.