Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiters

EP4379775 Art A1 5. Juni 2024

Anmelder: SCREEN Holdings Co., Ltd., National University Corporation Tokai National Higher Education and Research System 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4379775
Aktenzeichen: EP22849357
Anmeldetag: 21. Juli 2022
Veröffentlichung: 5. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SCREEN Holdings Co., Ltd.
National University Corporation Tokai National Higher Education and Research System
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 SCREEN Holdings

Japanischer Technologiekonzern. SCREEN Holdings stellt Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie her, insbesondere Wafer-Reinigungs- und Beschichtungssysteme, sowie Druck- und Bildverarbeitungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von