Hochspannungshalbleiteranordnung mit einer Tiefen Grabenisolation und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP4379785
Art A1
5. Juni 2024
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4379785
- Aktenzeichen
- EP23210842
- Anmeldetag
- 20. November 2023
- Veröffentlichung
- 5. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/763H01L21/768H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.r.l.
- Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Studio Torta S.p.A
Studio Torta S.p.A · Treviso