Hochspannungshalbleiteranordnung mit einer Tiefen Grabenisolation und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP4379785 Art A1 5. Juni 2024

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4379785
Aktenzeichen
EP23210842
Anmeldetag
20. November 2023
Veröffentlichung
5. Juni 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762H01L21/763H01L21/768H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
STMicroelectronics S.r.l.
Land
🇮🇹 Italien
🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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