Vertikaler Bipolartransistor mit einer Monokristallinen Extrinsischen Basis und Verfahren dafür
EP4379807
Art A1
5. Juni 2024
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4379807
- Aktenzeichen
- EP23211834
- Anmeldetag
- 23. November 2023
- Veröffentlichung
- 5. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/08H01L29/10H01L29/66H01L29/732H01L29/737
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank